Intellectual Property Sales List
지적재산 사항
| 국내외 구분 | 국내 | 지적재산 형태 | 특허 |
|---|---|---|---|
| 출원번호 | 10-2023-7019832 | 등록번호 | 1020240001108 |
| 별명(고안)의 명칭 | 하프늄 개질된 고-니켈 층상 산화물 전극 재료 및 그의 제조 방법 | ||
| 별명(고안)의 명칭(영문) | HAFNIUM-MODIFIED HIGH-NICKEL LAYERED OXIDE ELECTRODE MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREFOR | ||
| 지적재산 분야 | 화학 | ||
| 이미지파일[C] | |||
| 첨부파일 | |||
| 특허평가 등급 | 특허평가 점수 | ||
| 기술가치평가 금액 | |||
사업화 정보
| 지적재산 개요 및 요약 | 하프늄 개질된 고-니켈 층상 산화물 전극 재료 및 그의 제조 방법에 있어서, 상기 전극 재료의 화학식은 Li[NixCoyM1-x-y]1-zHfzO2이고, Z는 0.001-0.02이고, x는 0.6-1.0이며, y는 0-0.4이고; 여기서, M은 Al, Mn, B, Nb, Mo, W, Ta, Zr 중의 하나 또는 복수 개이다. 상기 전극 재료에 적정량의 하프늄을 투입함으로써 전극 과립 내부의 미세 구조를 변경하고 전극의 순환 안정성을 현저히 개선시켰다. |
|---|---|
| 지적재산 거래형태 | 투자유치 ( 협의 ) |
| 협의 후 결정 | |
| 지적재산 단계 | 연구개발완료 |
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